三垦电气宣布全资收购GaN企业Powdec

半导体产业网获悉：3月27日，日本三垦电气株式会社（以下称“三垦电气”）于董事会上决议，将收购拥有氮化镓（GaN）外延技术自主知识产权的株式会社Powdec（总部：栃木县小山市，法人代表：成井启修，以下称“Powdec”）的全部股份（以下称“本次收购”），特此公告。本次收购预定将于2025年4月1日完成。

2025-04-01

【泰克先进半导体实验室】国产1700V GaN器件进一步打开应用端市场

远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题，他们采用特有的极化超级结（PSJ: Polarization Super Junction）技术，并对工艺进行进一步优化，使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升（1700V/30A）。

2025-01-15

远山半导体携多款GaN系列产品，亮相第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）

远山半导体正式亮相第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024) &第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024) ，同步推出多款GaN系列最新产品。

2024-11-19

一文解开远山氮化镓功率器件耐高压的秘密

远山半导体引进日本行业领先的氮化镓外延及芯片技术，是一家集蓝宝石基GaN外延、芯片和封装器件的IDM生产厂家，产品主要优势在其高耐压和高稳定性。当前的产品系列主要是以GaN HEMTs和肖特基二极管（Schottky diodes）为主的中高功率器件，也可根据客户要求进行定制。

2024-10-28

远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。

2024-10-18

远山半导体、丰田合成株式会社合作签约

4月18日，远山半导体与丰田合成株式会社在日本名古屋丰田合成总部签订合作协议，双方正式建立战略伙伴关系。未来，远山与丰田将携手在技术、产品、市场等方面建立一系列实质性业务合作，力争实现共赢发展。

2024-04-19

丰田合成联合powdec共同推出高耐压GaN功率模块

丰田合成株式会社（总部：爱知县清须市，总裁兼首席执行官：齋藤克巳）与Powdec K.K.株式会社共同开发了※1高性能横型GaN功率半导体，以提高太阳能发电和其他应用中的功率转换器的性能。

2023-11-24